Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters die aufgrund der Dotierung
Majoritätsladungsträger

Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträger art eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei n-Dotierung sind Elektronen die Majoritätsladungsträger, bei p-Dotierung sind es Defektelektronen (auch Löcher genannt).
Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren bzw. Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung):
- bzw.
mit den Anzahlen
- der ionisierten bzw. aller (ionisierten und neutralen) Donator-Atome
- der ionisierten bzw. aller (ionisierten und neutralen) Akzeptor-Atome.
Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters ( bzw. ) zu:
- einer Majoritätsladungsträger-Konzentration (der Elektronen) im n-Gebiet:
- einer Majoritätsladungsträger-Konzentration (der Defektelektronen) im p-Gebiet:
Literatur
- Albrecht Möschwitzer, Klaus Lunze: Halbleiterelektronik. Lehrbuch. 2., bearb. Auflage. Verl. Technik, Berlin 1975, DNB 200142224.
Einzelnachweise
- Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.
Autor: www.NiNa.Az
Veröffentlichungsdatum:
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Majoritatsladungstrager ist die Bezeichnung der Ladungstragerart eines dotierten Halbleiters die aufgrund der Dotierung haufiger vorkommt als die Minoritatsladungstrager Bei n Dotierung sind Elektronen die Majoritatsladungstrager bei p Dotierung sind es Defektelektronen auch Locher genannt Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren bzw Akzeptoren ionisiert sind Storstellenerschopfung ND ND displaystyle N mathrm D N mathrm D bzw NA NA displaystyle N mathrm A N mathrm A mit den Anzahlen ND displaystyle N mathrm D der ionisierten bzw ND displaystyle N mathrm D aller ionisierten und neutralen Donator Atome NA displaystyle N mathrm A der ionisierten bzw NA displaystyle N mathrm A aller ionisierten und neutralen Akzeptor Atome Dies fuhrt im Fall einer Einfach Dotierung nur eine Dotierungsart vorhanden deutlich grosser der Eigenleitungsdichte ni displaystyle n mathrm i des Halbleiters ND ni displaystyle N mathrm D gg n mathrm i bzw NA ni displaystyle N mathrm A gg n mathrm i zu einer Majoritatsladungstrager Konzentration n displaystyle n der Elektronen im n Gebiet n ND 2 ND 2 2 ni2 ND ND konst displaystyle n frac N mathrm D 2 sqrt left frac N mathrm D 2 right 2 n mathrm i 2 approx N mathrm D N mathrm D mathrm konst einer Majoritatsladungstrager Konzentration p displaystyle p der Defektelektronen im p Gebiet p NA 2 NA 2 2 ni2 NA NA konst displaystyle p frac N mathrm A 2 sqrt left frac N mathrm A 2 right 2 n mathrm i 2 approx N mathrm A N mathrm A mathrm konst LiteraturAlbrecht Moschwitzer Klaus Lunze Halbleiterelektronik Lehrbuch 2 bearb Auflage Verl Technik Berlin 1975 DNB 200142224 EinzelnachweiseFrank Thuselt Physik der Halbleiterbauelemente einfuhrendes Lehrbuch fur Ingenieure und Physiker Springer Berlin Heidelberg New York 2005 ISBN 3 540 22316 9 S 68 ff